Справочник MOSFET. VB7101M

 

VB7101M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB7101M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для VB7101M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB7101M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  cn vbsemi
 vb7101m.pdf pdf_icon

VB7101M

VB7101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = 10 V 3.2 Low On-Resistance100 4.2 nC0.105 at VGS = 4.5 V 3.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS

Другие MOSFET... VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , 2SK3878 , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 .

History: SRC60R108B | NTA4151PT1 | RU20N65R | IRF830ALPBF

 

 
Back to Top

 


 
.