VB7101M - описание и поиск аналогов

 

VB7101M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VB7101M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 typ Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для VB7101M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB7101M даташит

 ..1. Size:856K  cn vbsemi
 vb7101m.pdf pdf_icon

VB7101M

VB7101M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.095 at VGS = 10 V 3.2 Low On-Resistance 100 4.2 nC 0.105 at VGS = 4.5 V 3.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 APPLICATIONS

Другие MOSFET... VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , 8205A , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 .

History: D4NK50Z-TO252

 

 

 

 

↑ Back to Top
.