VB8658 Todos los transistores

 

VB8658 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB8658
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.050(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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VB8658 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1193K  cn vbsemi
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VB8658

VB8658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.050 at VGS = -10 V -6.5-60 10.1 nC 0.060 at VGS = -4.5 V -5.1APPLICATIONS Load switches DC/DC converterTSOP-6 Top View(4) S1 6 (3) G3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D2.85 mm

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History: SI2307DS | JCS10N65S | FIR4N65FG

 

 
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