VB8658 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB8658
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.050(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de VB8658 MOSFET
VB8658 Datasheet (PDF)
vb8658.pdf

VB8658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.050 at VGS = -10 V -6.5-60 10.1 nC 0.060 at VGS = -4.5 V -5.1APPLICATIONS Load switches DC/DC converterTSOP-6 Top View(4) S1 6 (3) G3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D2.85 mm
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History: SI2307DS | JCS10N65S | FIR4N65FG
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Liste
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