VB8658 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB8658
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 88 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.050 typ Ohm
Encapsulados: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de VB8658 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
VB8658 datasheet
vb8658.pdf
VB8658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested 0.050 at VGS = -10 V -6.5 -60 10.1 nC 0.060 at VGS = -4.5 V -5.1 APPLICATIONS Load switches DC/DC converter TSOP-6 Top View (4) S 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm
Otros transistores... VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , IRF630 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372