VB8658 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VB8658
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 88 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.050(typ) Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для VB8658
VB8658 Datasheet (PDF)
vb8658.pdf

VB8658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A) d Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.050 at VGS = -10 V -6.5-60 10.1 nC 0.060 at VGS = -4.5 V -5.1APPLICATIONS Load switches DC/DC converterTSOP-6 Top View(4) S1 6 (3) G3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D2.85 mm
Другие MOSFET... VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , IRF9540 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 .
History: IRFPE50 | TK19A45D | VBZM60N06 | 2SK2027-01 | NTDV20N06 | CS12N65FF
History: IRFPE50 | TK19A45D | VBZM60N06 | 2SK2027-01 | NTDV20N06 | CS12N65FF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372