FDB110N15A Todos los transistores

 

FDB110N15A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB110N15A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 234 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO263 D2PAK

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FDB110N15A datasheet

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FDB110N15A

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FDB110N15A

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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FDB110N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB110N15A DESCRIPTION Drain Source Voltage V = 150V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Designed for high current, high speed switching, switch mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL ARAMETER VA

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