FDB110N15A - описание и поиск аналогов

 

FDB110N15A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDB110N15A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 234 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FDB110N15A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB110N15A даташит

 ..1. Size:604K  fairchild semi
 fdb110n15a.pdf pdf_icon

FDB110N15A

 ..2. Size:777K  onsemi
 fdb110n15a.pdf pdf_icon

FDB110N15A

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..3. Size:260K  inchange semiconductor
 fdb110n15a.pdf pdf_icon

FDB110N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor FDB110N15A DESCRIPTION Drain Source Voltage V = 150V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Designed for high current, high speed switching, switch mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL ARAMETER VA

Другие MOSFET... FDB047N10 , STU405DH , FDB050AN06A0 , FDB060AN08A0 , FDB070AN06A0 , FDB075N15A , FDB082N15A , FDB088N08 , P55NF06 , FDB120N10 , STU407DH , FDB12N50F , FDB12N50TM , FDB12N50U , FDB13AN06A0 , FDB14AN06LA0F085 , FDB14N30 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.