VBA1410 Todos los transistores

 

VBA1410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA1410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de VBA1410 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBA1410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  cn vbsemi
 vba1410.pdf pdf_icon

VBA1410

VBA1410www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Re

 9.1. Size:455K  cn vbsemi
 vba1405.pdf pdf_icon

VBA1410

VBA1405www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0045 at VGS = 10 V 18 100 % Rg and UIS Tested40 8 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 14.5APPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchD SO-8 SD1 8 G SD2 7 SD3 6 G

Otros transistores... VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 , VBA1405 , SPP20N60C3 , VBA2107 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 .

History: STF12N50M2 | WMO07N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.