Справочник MOSFET. VBA1410

 

VBA1410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA1410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA1410

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA1410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1237K  cn vbsemi
 vba1410.pdf pdf_icon

VBA1410

VBA1410www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.012 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET1240 15 nC 100 % Rg Tested0.012 at VGS = 4.5 V 9 100 % UIS Tested Compliant to RoHS directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Re

 9.1. Size:455K  cn vbsemi
 vba1405.pdf pdf_icon

VBA1410

VBA1405www.VBsemi.comN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0045 at VGS = 10 V 18 100 % Rg and UIS Tested40 8 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 14.5APPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side SwitchD SO-8 SD1 8 G SD2 7 SD3 6 G

Другие MOSFET... VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 , VBA1405 , SPP20N60C3 , VBA2107 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 .

History: IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.