VBA2107 Todos los transistores

 

VBA2107 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA2107
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 235 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0050(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

VBA2107 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  cn vbsemi
 vba2107.pdf pdf_icon

VBA2107

VBA2107www.VBsemi.comP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0050 at VGS = - 4.5 V - 16 TrenchFET Power MOSFET 0.0065 at VGS = - 2.5 V - 12 - 15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0100 at VGS = - 1.8 V - 13APPLICATIONS Load Switch Battery Swit

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FQD1N80 | IXFK48N50Q | FQD5N15TF | 2N7064 | SVF4N60CAF | APT6025BVR | YJL03G10A

 

 
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