VBA2107 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBA2107
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 235 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0050(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBA2107
VBA2107 Datasheet (PDF)
vba2107.pdf

VBA2107www.VBsemi.comP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0050 at VGS = - 4.5 V - 16 TrenchFET Power MOSFET 0.0065 at VGS = - 2.5 V - 12 - 15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0100 at VGS = - 1.8 V - 13APPLICATIONS Load Switch Battery Swit
Другие MOSFET... VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 , VBA1405 , VBA1410 , 4435 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 .
History: CEA6426 | SQM18N33-160H | NTTD4401FR2 | AFP8206 | SLF5N60C | L4N60 | RU30P4B
History: CEA6426 | SQM18N33-160H | NTTD4401FR2 | AFP8206 | SLF5N60C | L4N60 | RU30P4B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c