VBA2107 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: VBA2107
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 235 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0050(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBA2107
VBA2107 Datasheet (PDF)
vba2107.pdf

VBA2107www.VBsemi.comP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0050 at VGS = - 4.5 V - 16 TrenchFET Power MOSFET 0.0065 at VGS = - 2.5 V - 12 - 15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0100 at VGS = - 1.8 V - 13APPLICATIONS Load Switch Battery Swit
Другие MOSFET... VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 , VBA1405 , VBA1410 , 8205A , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 .
History: FQB8P10TM | OSG70R350PF | CSD16412Q5A
History: FQB8P10TM | OSG70R350PF | CSD16412Q5A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c