VBA2107 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBA2107
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 235 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0050(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBA2107
VBA2107 Datasheet (PDF)
vba2107.pdf
VBA2107www.VBsemi.comP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0050 at VGS = - 4.5 V - 16 TrenchFET Power MOSFET 0.0065 at VGS = - 2.5 V - 12 - 15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.0100 at VGS = - 1.8 V - 13APPLICATIONS Load Switch Battery Swit
Другие MOSFET... VBA1203M , VBA1210 , VBA1302 , VBA1303 , VBA1310S , VBA1311 , VBA1405 , VBA1410 , IRFP260 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 .
History: AP83T02GH-HF | NTMFS4935NBT1G | VB7101M | STP80NF10FP | VBA1302 | AO6601 | HMS200N04D
History: AP83T02GH-HF | NTMFS4935NBT1G | VB7101M | STP80NF10FP | VBA1302 | AO6601 | HMS200N04D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c


