VBA2625 Todos los transistores

 

VBA2625 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA2625
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0160(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de VBA2625 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBA2625 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  cn vbsemi
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VBA2625

VBA2625www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.0195 at VGS = - 10 V - 10APPLICATIONS- 60 76 nC0.0250 at VGS = - 4.5 V - 9 Load SwitchSSO-8SD1 8GSD2 7SD3 6GD4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, un

 9.1. Size:1224K  cn vbsemi
 vba2658.pdf pdf_icon

VBA2625

VBA2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0480RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0612ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted

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