VBA2625 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBA2625
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0160 typ Ohm
Encapsulados: SO8
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VBA2625 datasheet
vba2625.pdf
VBA2625 www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.0195 at VGS = - 10 V - 10 APPLICATIONS - 60 76 nC 0.0250 at VGS = - 4.5 V - 9 Load Switch S SO-8 SD 1 8 G SD 2 7 SD 3 6 GD 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, un
vba2658.pdf
VBA2658 www.VBsemi.com P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.0480 RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.0612 ID (A) per leg -8 S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G D 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted
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