VBA2625 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBA2625
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 76 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 390 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0160(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
VBA2625 Datasheet (PDF)
vba2625.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBA2625www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.0195 at VGS = - 10 V - 10APPLICATIONS- 60 76 nC0.0250 at VGS = - 4.5 V - 9 Load SwitchSSO-8SD1 8GSD2 7SD3 6GD4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, un
vba2658.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
VBA2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0480RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0612ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .