Справочник MOSFET. VBA2625

 

VBA2625 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA2625
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0160(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA2625

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA2625 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  cn vbsemi
 vba2625.pdf pdf_icon

VBA2625

VBA2625www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.0195 at VGS = - 10 V - 10APPLICATIONS- 60 76 nC0.0250 at VGS = - 4.5 V - 9 Load SwitchSSO-8SD1 8GSD2 7SD3 6GD4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, un

 9.1. Size:1224K  cn vbsemi
 vba2658.pdf pdf_icon

VBA2625

VBA2658www.VBsemi.comP-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.0480RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.0612ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted

Другие MOSFET... VBA1311 , VBA1405 , VBA1410 , VBA2107 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , TK10A60D , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , VBA3695 , VBA4216 .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | BSO301SPH | PA567JA | 2SK2032 | KQB9N50

 

 
Back to Top

 


 
.