VBA3102M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBA3102M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.187 typ Ohm
Encapsulados: SO8
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VBA3102M datasheet
vba3102m.pdf
VBA3102M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 100 0.187 at VGS = 10 V 3 7.3 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Conversion - Notebook System Power D1 D2 SO-8 1
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