VBA3102M Todos los transistores

 

VBA3102M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA3102M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.187(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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VBA3102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  cn vbsemi
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VBA3102M

VBA3102Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 100 0.187 at VGS = 10 V 37.3 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Conversion- Notebook System PowerD1 D2SO-8 1

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History: 4N90L-TF3T-T | AP4416GH | PTF2N65 | SRC65R110BS | 2SK3609-01 | STD52P3LLH6 | TK15S04N1L

 

 
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