VBA3102M. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VBA3102M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.187 typ Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBA3102M
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VBA3102M даташит
vba3102m.pdf
VBA3102M www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 100 0.187 at VGS = 10 V 3 7.3 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Conversion - Notebook System Power D1 D2 SO-8 1
Другие MOSFET... VBA1405 , VBA1410 , VBA2107 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , AON7410 , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238

