Справочник MOSFET. VBA3102M

 

VBA3102M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA3102M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.187(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA3102M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3102M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:492K  cn vbsemi
 vba3102m.pdf pdf_icon

VBA3102M

VBA3102Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 100 0.187 at VGS = 10 V 37.3 nC TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Conversion- Notebook System PowerD1 D2SO-8 1

Другие MOSFET... VBA1405 , VBA1410 , VBA2107 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , RFP50N06 , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 .

History: AP4575GM-HF | LSE65R099GF | CTD03N003 | CM8N80F | AP3700M | SSM3K03FE

 

 
Back to Top

 


 
.