VBA3211 Todos los transistores

 

VBA3211 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA3211
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de VBA3211 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBA3211 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  cn vbsemi
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VBA3211

VBA3211www.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET20 15 nC 100 % UIS Tested0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box L

 9.1. Size:469K  cn vbsemi
 vba3222.pdf pdf_icon

VBA3211

VBA3222www.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET200.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D2

Otros transistores... VBA1410 , VBA2107 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , 12N60 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 .

History: IPB038N12N3G

 

 
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