Справочник MOSFET. VBA3211

 

VBA3211 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA3211
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA3211

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3211 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:631K  cn vbsemi
 vba3211.pdf pdf_icon

VBA3211

VBA3211www.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 4.5 V 10 TrenchFET Power MOSFET20 15 nC 100 % UIS Tested0.012 at VGS = 2.5 V 8.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box L

 9.1. Size:469K  cn vbsemi
 vba3222.pdf pdf_icon

VBA3211

VBA3222www.VBsemi.comDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.025 at VGS = 4.5 V 7.1 TrenchFET Power MOSFET200.035 at VGS = 2.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8 D1 D2S1 1 D18G1 2 D17S2 3 D26G1 G2G2 4 D2

Другие MOSFET... VBA1410 , VBA2107 , VBA2305 , VBA2309 , VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , 4N60 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 .

History: STF32N65M5 | 2SK1206 | IXTH90P10P

 

 
Back to Top

 


 
.