VBA3410 Todos los transistores

 

VBA3410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VBA3410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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VBA3410 datasheet

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VBA3410

VBA3410 www.VBsemi.com Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.010 at VGS = 10 V 12 40 5.9 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 10 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Swit

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