VBA3410 - описание и поиск аналогов

 

VBA3410. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA3410

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA3410

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3410 даташит

 ..1. Size:557K  cn vbsemi
 vba3410.pdf pdf_icon

VBA3410

VBA3410 www.VBsemi.com Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.010 at VGS = 10 V 12 40 5.9 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 10 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Swit

Другие MOSFET... VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , AON6380 , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.