Справочник MOSFET. VBA3410

 

VBA3410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA3410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA3410

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  cn vbsemi
 vba3410.pdf pdf_icon

VBA3410

VBA3410www.VBsemi.comDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.010 at VGS = 10 V 1240 5.9 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 10Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Swit

Другие MOSFET... VBA2317 , VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , IRLZ44N , VBA3695 , VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M .

History: AM20N10-180D | DMN2112SN | STW6N95K5 | GP1M003A080XX | AM4541C

 

 
Back to Top

 


 
.