VBA3695 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBA3695
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.09 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 typ Ohm
Encapsulados: SO8
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VBA3695 datasheet
vba3695.pdf
VBA3695 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.095 at VGS = 10 V 4.0 60 2.1 nC 100 % Rg Tested 0.100 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS Tested APPLICATIONS Battery Switch DC/DC Converter SO-8 Dual D2 D1
vba3638.pdf
VBA3638 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G1 G 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel
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