Справочник MOSFET. VBA3695

 

VBA3695 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA3695
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3695 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:690K  cn vbsemi
 vba3695.pdf pdf_icon

VBA3695

VBA3695www.VBsemi.comDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = 10 V 4.060 2.1 nC 100 % Rg Tested0.100 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Battery Switch DC/DC ConverterSO-8 DualD2D1

 9.1. Size:725K  cn vbsemi
 vba3638.pdf pdf_icon

VBA3695

VBA3638www.VBsemi.comDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222G1G11N-Channel MOSFET N-Channel

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FRF450D | SIHFU310 | 2SK3572-Z | FC6B21150L | RFP25N05L | UT20N03G-TN3-R | AP4800GYT-HF

 

 
Back to Top

 


 
.