VBA3695 - описание и поиск аналогов

 

VBA3695. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VBA3695

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.09 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для VBA3695

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA3695 даташит

 ..1. Size:690K  cn vbsemi
 vba3695.pdf pdf_icon

VBA3695

VBA3695 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.095 at VGS = 10 V 4.0 60 2.1 nC 100 % Rg Tested 0.100 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS Tested APPLICATIONS Battery Switch DC/DC Converter SO-8 Dual D2 D1

 9.1. Size:725K  cn vbsemi
 vba3638.pdf pdf_icon

VBA3695

VBA3638 www.VBsemi.com Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G1 G 1 1 N-Channel MOSFET N-Channel

Другие MOSFET... VBA2412 , VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , IRF530 , VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 .

History: STF3LN62K3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.