VBA4216 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBA4216
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 typ Ohm
Encapsulados: SO8
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VBA4216 datasheet
vba4216.pdf
VBA4216 www.VBsemi.com Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.018 at VGS = - 4.5 V - 8.9 TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = - 2.5 V - 20 - 8.1 Advanced High Cell Density Process 0.030 at VGS = - 1.8 V - 3.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICA
Otros transistores... VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , VBA3695 , CS150N03A8 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 .
History: TJ20A10M3
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