Справочник MOSFET. VBA4216

 

VBA4216 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA4216
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA4216

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA4216 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:940K  cn vbsemi
 vba4216.pdf pdf_icon

VBA4216

VBA4216www.VBsemi.comDual P-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.018 at VGS = - 4.5 V- 8.9 TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = - 2.5 V- 20 - 8.1 Advanced High Cell Density Process 0.030 at VGS = - 1.8 V- 3.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

Другие MOSFET... VBA2625 , VBA3102M , VBA3211 , VBA3310 , VBA3316G , VBA3328 , VBA3410 , VBA3695 , IRLB4132 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 .

History: IRFS542 | AOY2610E | FTK7002D | ME4454-G | IPD60R400CE | OSG60R099JF | BLP032N06-Q

 

 
Back to Top

 


 
.