VBA5415 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBA5415
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 typ Ohm
Encapsulados: SO8
Búsqueda de reemplazo de VBA5415 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
VBA5415 datasheet
vba5415.pdf
VBA5415 www.VBsemi.com N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition Typ. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = 10 V 9.0 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 40 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.018 at VGS = 4.5 V 7.6 APPLICATIONS 0.017 at VGS =
Otros transistores... VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , 4N60 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 .
History: AON6444
History: AON6444
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent
