VBA5415 Todos los transistores

 

VBA5415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VBA5415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VBA5415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  cn vbsemi
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VBA5415

VBA5415www.VBsemi.comN- and P-Channel 40V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionTyp. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 10 V 9.0 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 40 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.018 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS0.017 at VGS =

Otros transistores... VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , 10N65 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6 | BL7N60A-D

 

 
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