VBA5415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VBA5415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 13.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 10 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 745 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.015(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VBA5415

VBA5415 Datasheet (PDF)

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vba5415.pdf

VBA5415www.VBsemi.comN- and P-Channel 40V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionTyp. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 10 V 9.0 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 40 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.018 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS0.017 at VGS =

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: