VBA5415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VBA5415
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de VBA5415 MOSFET
VBA5415 Datasheet (PDF)
vba5415.pdf

VBA5415www.VBsemi.comN- and P-Channel 40V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionTyp. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 10 V 9.0 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 40 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.018 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS0.017 at VGS =
Otros transistores... VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , 10N65 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 .
History: HCS70R910ST | NTMFS4982NF | IPB024N10N5 | HY4903B6 | 2SK1980 | AP65SL600AJ | 9N90L-TF2-T
History: HCS70R910ST | NTMFS4982NF | IPB024N10N5 | HY4903B6 | 2SK1980 | AP65SL600AJ | 9N90L-TF2-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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