VBA5415 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: VBA5415  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для VBA5415

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA5415 даташит

 ..1. Size:1271K  cn vbsemi
 vba5415.pdf pdf_icon

VBA5415

VBA5415 www.VBsemi.com N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition Typ. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = 10 V 9.0 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 40 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.018 at VGS = 4.5 V 7.6 APPLICATIONS 0.017 at VGS =

Другие IGBT... VBA4216, VBA4311, VBA4317, VBA4338, VBA4658, VBA4670, VBA5102M, VBA5325, IRFP250, TSA100N20M, TSA18N50MR, TSA20N60MR, TSA20N65MR, TSA23N50M, TSA24N50M, TSA28N50M, TSA3878