VBA5415 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VBA5415
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для VBA5415
VBA5415 технические параметры
vba5415.pdf
VBA5415 www.VBsemi.com N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition Typ. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = 10 V 9.0 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 40 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.018 at VGS = 4.5 V 7.6 APPLICATIONS 0.017 at VGS =
Другие MOSFET... VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , 4N60 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APG011N04G | APG011N03G | APC65R190FM | APC60R030WMF | AP9N20K | AP9565K | AP90P03K | AP90N04Q | AP90N04K | AP90N04G | AP90N03GD | AP85P04G | AP85N04Q | AP85N04K | AP85N04G | AP80P04K
Popular searches
2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent


