VBA5415 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VBA5415
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 13.3 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 745 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
VBA5415 Datasheet (PDF)
..1. Size:1271K cn vbsemi
vba5415.pdf
vba5415.pdf
VBA5415www.VBsemi.comN- and P-Channel 40V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionTyp. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 10 V 9.0 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 40 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.018 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS0.017 at VGS =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
