Справочник MOSFET. VBA5415

 

VBA5415 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VBA5415
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для VBA5415

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VBA5415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  cn vbsemi
 vba5415.pdf pdf_icon

VBA5415

VBA5415www.VBsemi.comN- and P-Channel 40V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionTyp. ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 10 V 9.0 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 40 13.3 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.018 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS0.017 at VGS =

Другие MOSFET... VBA4216 , VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , 10N65 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 .

 

 
Back to Top

 


 
.