TSA100N20M Todos los transistores

 

TSA100N20M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSA100N20M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 783 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO3P

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TSA100N20M datasheet

 ..1. Size:1826K  truesemi
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TSA100N20M

TSA100N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 100A,200V,Max.RDS(on)=25m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand

 9.1. Size:261K  taiwansemi
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TSA100N20M

TSA1036CX Taiwan Semiconductor General Purpose PNP Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low VCE(SAT) -0.4 @ IC / IB = -150mA / -15mA PARAMETER VALUE UNIT PNP Silicon Transistor BVCBO -60 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in BVCEO -60 V accordance to WEEE 2002/96/EC IC -0.6 A Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE(SAT) IC=-150mA

Otros transistores... VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , IRFP250 , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK .

History: AF10N65S

 

 

 

 

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