Справочник MOSFET. TSA100N20M

 

TSA100N20M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA100N20M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TSA100N20M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA100N20M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1826K  truesemi
 tsa100n20m.pdf pdf_icon

TSA100N20M

TSA100N20M 200V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 100A,200V,Max.RDS(on)=25m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

 9.1. Size:261K  taiwansemi
 tsa1036cx.pdf pdf_icon

TSA100N20M

TSA1036CX Taiwan Semiconductor General Purpose PNP Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low VCE(SAT) -0.4 @ IC / IB = -150mA / -15mA PARAMETER VALUE UNIT PNP Silicon Transistor BVCBO -60 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in BVCEO -60 V accordance to WEEE 2002/96/EC IC -0.6 A Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE(SAT) IC=-150mA

Другие MOSFET... VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , STF13NM60N , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK .

History: NTMFS4C09NT1G | HGP115N15S | SSF13N50 | 5LP01SP | AFN3006S | IRF3707S | SSM3K344R

 

 
Back to Top

 


 
.