TSA100N20M - описание и поиск аналогов

 

TSA100N20M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSA100N20M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TSA100N20M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA100N20M даташит

 ..1. Size:1826K  truesemi
 tsa100n20m.pdf pdf_icon

TSA100N20M

TSA100N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 100A,200V,Max.RDS(on)=25m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand

 9.1. Size:261K  taiwansemi
 tsa1036cx.pdf pdf_icon

TSA100N20M

TSA1036CX Taiwan Semiconductor General Purpose PNP Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low VCE(SAT) -0.4 @ IC / IB = -150mA / -15mA PARAMETER VALUE UNIT PNP Silicon Transistor BVCBO -60 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in BVCEO -60 V accordance to WEEE 2002/96/EC IC -0.6 A Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE(SAT) IC=-150mA

Другие MOSFET... VBA4311 , VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , IRFP250 , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK .

History: CS18N50P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.