Справочник MOSFET. TSA100N20M

 

TSA100N20M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSA100N20M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 123 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для TSA100N20M

 

 

TSA100N20M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1826K  truesemi
 tsa100n20m.pdf

TSA100N20M TSA100N20M

TSA100N20M 200V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 100A,200V,Max.RDS(on)=25m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

 9.1. Size:261K  taiwansemi
 tsa1036cx.pdf

TSA100N20M TSA100N20M

TSA1036CX Taiwan Semiconductor General Purpose PNP Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low VCE(SAT) -0.4 @ IC / IB = -150mA / -15mA PARAMETER VALUE UNIT PNP Silicon Transistor BVCBO -60 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in BVCEO -60 V accordance to WEEE 2002/96/EC IC -0.6 A Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE(SAT) IC=-150mA

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top