TSA18N50MR Todos los transistores

 

TSA18N50MR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSA18N50MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm

Encapsulados: TO3P

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TSA18N50MR datasheet

 ..1. Size:924K  truesemi
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TSA18N50MR

TSA18N50MR 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 18.0A,500V,Max.RDS(on)=0.31 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 42nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and with

 9.1. Size:227K  st
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TSA18N50MR

STSA1805 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Ordering Marking Package Code / Shipment STSA1805 SA1805 TO-92 / Bulk STSA1805-AP SA1805 TO-92 / Ammopack VERY LOW COLLECTOR TO EMITTER SATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN CHARACTERISTIC FAST-SWITCHING SPEED APPLICATIONS EMERGENCY LIGHTING TO-92 VOLTAGE REGULATORS Bulk RELAY DRIVERS HIGH EF

Otros transistores... VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , IRF1407 , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M .

History: TSA23N50M

 

 

 

 

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