TSA18N50MR Todos los transistores

 

TSA18N50MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA18N50MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 235 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.31 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TSA18N50MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:924K  truesemi
 tsa18n50mr.pdf pdf_icon

TSA18N50MR

TSA18N50MR500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 18.0A,500V,Max.RDS(on)=0.31 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 42nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and with

 9.1. Size:227K  st
 stsa1805.pdf pdf_icon

TSA18N50MR

STSA1805LOW VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTORPRELIMINARY DATAOrdering Marking PackageCode / ShipmentSTSA1805 SA1805 TO-92 / BulkSTSA1805-AP SA1805 TO-92 / Ammopack VERY LOW COLLECTOR TO EMITTERSATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN CHARACTERISTIC FAST-SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS: EMERGENCY LIGHTINGTO-92 VOLTAGE REGULATORSBulk RELAY DRIVERS HIGH EF

Otros transistores... VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , P0903BDG , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M .

History: PHP18NQ10T | VBA4317 | 2SK4076-ZK

 

 
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