TSA18N50MR - описание и поиск аналогов

 

TSA18N50MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSA18N50MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TSA18N50MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA18N50MR даташит

 ..1. Size:924K  truesemi
 tsa18n50mr.pdf pdf_icon

TSA18N50MR

TSA18N50MR 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 18.0A,500V,Max.RDS(on)=0.31 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 42nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and with

 9.1. Size:227K  st
 stsa1805.pdf pdf_icon

TSA18N50MR

STSA1805 LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR PRELIMINARY DATA Ordering Marking Package Code / Shipment STSA1805 SA1805 TO-92 / Bulk STSA1805-AP SA1805 TO-92 / Ammopack VERY LOW COLLECTOR TO EMITTER SATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN CHARACTERISTIC FAST-SWITCHING SPEED APPLICATIONS EMERGENCY LIGHTING TO-92 VOLTAGE REGULATORS Bulk RELAY DRIVERS HIGH EF

Другие MOSFET... VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , IRF1407 , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M .

History: VBA4658

 

 

 

 

↑ Back to Top
.