TSA18N50MR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSA18N50MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
trⓘ - Время нарастания: 160 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для TSA18N50MR
TSA18N50MR Datasheet (PDF)
tsa18n50mr.pdf
TSA18N50MR500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 18.0A,500V,Max.RDS(on)=0.31 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 42nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and with
stsa1805.pdf
STSA1805LOW VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTORPRELIMINARY DATAOrdering Marking PackageCode / ShipmentSTSA1805 SA1805 TO-92 / BulkSTSA1805-AP SA1805 TO-92 / Ammopack VERY LOW COLLECTOR TO EMITTERSATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN CHARACTERISTIC FAST-SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS: EMERGENCY LIGHTINGTO-92 VOLTAGE REGULATORSBulk RELAY DRIVERS HIGH EF
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: IXTH60N15
History: IXTH60N15
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918