Справочник MOSFET. TSA18N50MR

 

TSA18N50MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA18N50MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 235 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.31 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TSA18N50MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA18N50MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:924K  truesemi
 tsa18n50mr.pdf pdf_icon

TSA18N50MR

TSA18N50MR500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 18.0A,500V,Max.RDS(on)=0.31 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 42nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and with

 9.1. Size:227K  st
 stsa1805.pdf pdf_icon

TSA18N50MR

STSA1805LOW VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTORPRELIMINARY DATAOrdering Marking PackageCode / ShipmentSTSA1805 SA1805 TO-92 / BulkSTSA1805-AP SA1805 TO-92 / Ammopack VERY LOW COLLECTOR TO EMITTERSATURATION VOLTAGE HIGH CURRENT GAIN CHARACTERISTIC FAST-SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS: EMERGENCY LIGHTINGTO-92 VOLTAGE REGULATORSBulk RELAY DRIVERS HIGH EF

Другие MOSFET... VBA4317 , VBA4338 , VBA4658 , VBA4670 , VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , P0903BDG , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.