TSA24N50M Todos los transistores

 

TSA24N50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA24N50M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TSA24N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  truesemi
 tsa24n50m.pdf pdf_icon

TSA24N50M

TSA24N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 24A,500V,Max.RDS(on)=0.2 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 90nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

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History: SM4066CSU4 | IXFH88N30P | SSM6L36TU | JCS160N08 | 2SK2114 | KF9N25D | H10N60F

 

 
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