TSA24N50M Todos los transistores

 

TSA24N50M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSA24N50M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm

Encapsulados: TO3P

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TSA24N50M datasheet

 ..1. Size:757K  truesemi
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TSA24N50M

TSA24N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 24A,500V,Max.RDS(on)=0.2 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 90nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

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