Справочник MOSFET. TSA24N50M

 

TSA24N50M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA24N50M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TSA24N50M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA24N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  truesemi
 tsa24n50m.pdf pdf_icon

TSA24N50M

TSA24N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 24A,500V,Max.RDS(on)=0.2 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 90nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

Другие MOSFET... VBA5102M , VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , SKD502T , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR .

History: HGT007NE6A | IPD49CN10NG | PH3030AL | STU3LN62K3

 

 
Back to Top

 


 
.