TSA28N50M Todos los transistores

 

TSA28N50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA28N50M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TSA28N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:904K  truesemi
 tsa28n50m.pdf pdf_icon

TSA28N50M

TSA28N50M500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 28A,500V,Max.RDS(on)=0.16 @advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to VGS =10Vminimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge(typical 90nC)performance, and withstand high energ

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History: TSA82N30M | AONS34304C | 2N65G-AA3-R

 

 
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