TSA28N50M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSA28N50M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 250 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
TSA28N50M Datasheet (PDF)
tsa28n50m.pdf

TSA28N50M500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 28A,500V,Max.RDS(on)=0.16 @advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to VGS =10Vminimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge(typical 90nC)performance, and withstand high energ
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History: NDS9405 | KTK5164U | DE275-102N06A | RU1HE12L
History: NDS9405 | KTK5164U | DE275-102N06A | RU1HE12L



Liste
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