Справочник MOSFET. TSA28N50M

 

TSA28N50M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA28N50M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 250 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA28N50M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:904K  truesemi
 tsa28n50m.pdf pdf_icon

TSA28N50M

TSA28N50M500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 28A,500V,Max.RDS(on)=0.16 @advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to VGS =10Vminimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge(typical 90nC)performance, and withstand high energ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MSAFR12N50A | IPP14N03LA | IRLR4343 | TPU80R750C | NCEP30T15GU

 

 
Back to Top

 


 
.