TSA28N50M - описание и поиск аналогов

 

TSA28N50M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSA28N50M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 250 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TSA28N50M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA28N50M даташит

 ..1. Size:904K  truesemi
 tsa28n50m.pdf pdf_icon

TSA28N50M

TSA28N50M 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 28A,500V,Max.RDS(on)=0.16 @ advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to VGS =10V minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge(typical 90nC) performance, and withstand high energ

Другие MOSFET... VBA5325 , VBA5415 , TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , SI2302 , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.