TSA50N20MK Todos los transistores

 

TSA50N20MK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA50N20MK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TSA50N20MK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2021K  truesemi
 tsa50n20mk.pdf pdf_icon

TSA50N20MK

TSA50N20MK200V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 50A,200V,Max.RDS(on) =10V =0.038 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate chargeminimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

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History: CMUDM8001 | 2SJ188 | TPP60R350C | LNC045R090 | P5103EMA | AM60N04-12D | CEU14G04

 

 
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