TSA50N20MK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSA50N20MK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 244 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSA50N20MK
TSA50N20MK Datasheet (PDF)
tsa50n20mk.pdf
TSA50N20MK200V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 50A,200V,Max.RDS(on) =10V =0.038 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate chargeminimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand
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Liste
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