TSA50N20MK Todos los transistores

 

TSA50N20MK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSA50N20MK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 657 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TO3P

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TSA50N20MK datasheet

 ..1. Size:2021K  truesemi
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TSA50N20MK

TSA50N20MK 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 50A,200V,Max.RDS(on) =10V =0.038 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand

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History: WMB108N03T1

 

 

 

 

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