Справочник MOSFET. TSA50N20MK

 

TSA50N20MK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA50N20MK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 657 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA50N20MK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2021K  truesemi
 tsa50n20mk.pdf pdf_icon

TSA50N20MK

TSA50N20MK200V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 50A,200V,Max.RDS(on) =10V =0.038 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate chargeminimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SI7629DN | SDF320JAB | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | H7N0405LM

 

 
Back to Top

 


 
.