Справочник MOSFET. TSA50N20MK

 

TSA50N20MK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA50N20MK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 657 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TSA50N20MK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA50N20MK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2021K  truesemi
 tsa50n20mk.pdf pdf_icon

TSA50N20MK

TSA50N20MK200V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 50A,200V,Max.RDS(on) =10V =0.038 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate chargeminimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand

Другие MOSFET... TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , 75N75 , TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M .

History: AP4455GYT-HF | PSMN7R0-100PS | IXTN170P10P | IXFK102N30P | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.