TSA50N20MK - описание и поиск аналогов

 

TSA50N20MK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSA50N20MK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 657 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TSA50N20MK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA50N20MK даташит

 ..1. Size:2021K  truesemi
 tsa50n20mk.pdf pdf_icon

TSA50N20MK

TSA50N20MK 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 50A,200V,Max.RDS(on) =10V =0.038 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand

Другие MOSFET... TSA100N20M , TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , 18N50 , TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M .

History: WMB099N10LG2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.