TSA50N20MK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSA50N20MK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 244 nC
trⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 657 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для TSA50N20MK
TSA50N20MK Datasheet (PDF)
..1. Size:2021K truesemi
tsa50n20mk.pdf
tsa50n20mk.pdf
TSA50N20MK200V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 50A,200V,Max.RDS(on) =10V =0.038 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate chargeminimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
