TSA82N25M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSA82N25M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 550 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 82 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 123 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 783 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TSA82N25M
TSA82N25M Datasheet (PDF)
tsa82n25m.pdf
TSA82N25M 250V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,250V,Max.RDS(on)=35m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand h
tsa82n30m.pdf
TSA82N30M 300V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,300V,Max.RDS(on)=46m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand h
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