Справочник MOSFET. TSA82N25M

 

TSA82N25M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSA82N25M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 550 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для TSA82N25M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA82N25M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1162K  truesemi
 tsa82n25m.pdf pdf_icon

TSA82N25M

TSA82N25M 250V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,250V,Max.RDS(on)=35m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand h

 8.1. Size:1528K  truesemi
 tsa82n30m.pdf pdf_icon

TSA82N25M

TSA82N30M 300V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,300V,Max.RDS(on)=46m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand h

Другие MOSFET... TSA18N50MR , TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , 2N60 , TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M .

History: TSM9409CS | AP9938AGEY | NVMD3P03 | SQ2348ES | AP18T10GJ | IXFT16N120P

 

 
Back to Top

 


 
.