TSA82N30M Todos los transistores

 

TSA82N30M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSA82N30M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 580 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 783 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: TO3P

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TSA82N30M datasheet

 ..1. Size:1528K  truesemi
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TSA82N30M

TSA82N30M 300V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 82A,300V,Max.RDS(on)=46m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand h

 8.1. Size:1162K  truesemi
 tsa82n25m.pdf pdf_icon

TSA82N30M

TSA82N25M 250V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 82A,250V,Max.RDS(on)=35m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand h

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