TSA82N30M Todos los transistores

 

TSA82N30M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSA82N30M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 580 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 783 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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TSA82N30M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1528K  truesemi
 tsa82n30m.pdf pdf_icon

TSA82N30M

TSA82N30M 300V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,300V,Max.RDS(on)=46m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand h

 8.1. Size:1162K  truesemi
 tsa82n25m.pdf pdf_icon

TSA82N30M

TSA82N25M 250V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,250V,Max.RDS(on)=35m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand h

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History: MG120R040 | NCE60NF200D | AP4410AGM | TPW65R044MFD | 6N65KL-TN3-R | HMS11N60

 

 
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