Справочник MOSFET. TSA82N30M

 

TSA82N30M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSA82N30M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 580 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 123 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для TSA82N30M

 

 

TSA82N30M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1528K  truesemi
 tsa82n30m.pdf

TSA82N30M TSA82N30M

TSA82N30M 300V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,300V,Max.RDS(on)=46m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand h

 8.1. Size:1162K  truesemi
 tsa82n25m.pdf

TSA82N30M TSA82N30M

TSA82N25M 250V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 82A,250V,Max.RDS(on)=35m@ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and withstand h

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BLS70R600-D

 

 
Back to Top