TSA82N30M - описание и поиск аналогов

 

TSA82N30M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSA82N30M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 580 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 783 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для TSA82N30M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSA82N30M даташит

 ..1. Size:1528K  truesemi
 tsa82n30m.pdf pdf_icon

TSA82N30M

TSA82N30M 300V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 82A,300V,Max.RDS(on)=46m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand h

 8.1. Size:1162K  truesemi
 tsa82n25m.pdf pdf_icon

TSA82N30M

TSA82N25M 250V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 82A,250V,Max.RDS(on)=35m @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 70nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and withstand h

Другие MOSFET... TSA20N60MR , TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , IRF520 , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M , TSD840MD .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.