TSD16N25M Todos los transistores

 

TSD16N25M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSD16N25M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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TSD16N25M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3277K  truesemi
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TSD16N25M

TSD16N25M250V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis =10V 16A,250V,Max.R=0.25 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology.DS(on)This advanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalancheand comm

 9.1. Size:199K  taiwansemi
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TSD16N25M

TSD1664 Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 2. Collector BVCEO 32V 3. Emitter BVCBO 40V IC 1A VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1132 TSD1664CY RM SOT-89 1Kpcs / 7 Reel TSD1664CY

Otros transistores... TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , TSA82N30M , IRFB31N20D , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M , TSD840MD , TSF10N80M .

History: SSM6K06FU | LNND04R120 | P4004ED

 

 
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