TSD16N25M Todos los transistores

 

TSD16N25M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSD16N25M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de TSD16N25M MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TSD16N25M datasheet

 ..1. Size:3277K  truesemi
 tsd16n25m.pdf pdf_icon

TSD16N25M

TSD16N25M 250V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s =10V 16A,250V,Max.R =0.25 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology. DS(on) This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and comm

 9.1. Size:199K  taiwansemi
 tsd1664cy.pdf pdf_icon

TSD16N25M

TSD1664 Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base 2. Collector BVCEO 32V 3. Emitter BVCBO 40V IC 1A VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1132 TSD1664CY RM SOT-89 1Kpcs / 7 Reel TSD1664CY

Otros transistores... TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , TSA82N30M , IRF2807 , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M , TSD840MD , TSF10N80M .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.