Справочник MOSFET. TSD16N25M

 

TSD16N25M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSD16N25M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TSD16N25M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSD16N25M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3277K  truesemi
 tsd16n25m.pdf pdf_icon

TSD16N25M

TSD16N25M250V N-Channel MOSFETGeneral Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis =10V 16A,250V,Max.R=0.25 @ VGS advanced planar stripe DMOS technology.DS(on)This advanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in the avalancheand comm

 9.1. Size:199K  taiwansemi
 tsd1664cy.pdf pdf_icon

TSD16N25M

TSD1664 Low Vcesat NPN Transistor SOT-89 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base 2. Collector BVCEO 32V 3. Emitter BVCBO 40V IC 1A VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15V @ IC / IB = 500mA / 50mA (Typ.) Part No. Package Packing Complementary part with TSB1132 TSD1664CY RM SOT-89 1Kpcs / 7 Reel TSD1664CY

Другие MOSFET... TSA20N65MR , TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , TSA82N30M , IRFB31N20D , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M , TSD840MD , TSF10N80M .

History: PB5A2BX | NTMFS5C456NL | FHD4N65E | P7006BL | 2N7002SESGP

 

 
Back to Top

 


 
.