TSD18N20M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSD18N20M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 22 nC
   Tiempo de subida (tr): 130 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 227 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.17 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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TSD18N20M Datasheet (PDF)

..1. Size:489K truesemi
tsd18n20m.pdf

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9.1. Size:344K taiwansemi
tsd1858ch.pdf

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Liste

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