Справочник MOSFET. TSD18N20M

 

TSD18N20M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TSD18N20M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для TSD18N20M

 

 

TSD18N20M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  truesemi
 tsd18n20m.pdf

TSD18N20M TSD18N20M

TSD18N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 18A,200V,Max.RDS(on)=0.17 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 22nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

 9.1. Size:344K  taiwansemi
 tsd1858ch.pdf

TSD18N20M TSD18N20M

TSD1858 Low Vcesat NPN Transistor TO-251 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (IPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO 180V 3. Emitter BVCEO 160V IC 1.5A VCE(SAT) 0.3V @ IC = 1A, IB = 100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15 @ IC = 1A, IB = 100mA (Typ.) Part No. Package Packing High BVCEO TSD1858CH C5G TO-251 75pcs / Tube Note: G denote for Hal

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK2666

 

 
Back to Top