Справочник MOSFET. TSD18N20M

 

TSD18N20M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSD18N20M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для TSD18N20M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSD18N20M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:489K  truesemi
 tsd18n20m.pdf pdf_icon

TSD18N20M

TSD18N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 18A,200V,Max.RDS(on)=0.17 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 22nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, an

 9.1. Size:344K  taiwansemi
 tsd1858ch.pdf pdf_icon

TSD18N20M

TSD1858 Low Vcesat NPN Transistor TO-251 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY (IPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO 180V 3. Emitter BVCEO 160V IC 1.5A VCE(SAT) 0.3V @ IC = 1A, IB = 100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15 @ IC = 1A, IB = 100mA (Typ.) Part No. Package Packing High BVCEO TSD1858CH C5G TO-251 75pcs / Tube Note: G denote for Hal

Другие MOSFET... TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , IRF2807 , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M , TSD840MD , TSF10N80M , TSF16N50MR .

History: AUIRF1324L | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | DMP2100UCB9 | VBQA1302 | CJU10N10

 

 
Back to Top

 


 
.