TSD18N20M - описание и поиск аналогов

 

TSD18N20M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSD18N20M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 227 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для TSD18N20M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSD18N20M даташит

 ..1. Size:489K  truesemi
 tsd18n20m.pdf pdf_icon

TSD18N20M

TSD18N20M 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 18A,200V,Max.RDS(on)=0.17 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 22nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, an

 9.1. Size:344K  taiwansemi
 tsd1858ch.pdf pdf_icon

TSD18N20M

TSD1858 Low Vcesat NPN Transistor TO-251 Pin Definition PRODUCT SUMMARY (IPAK) 1. Base 2. Collector BVCBO 180V 3. Emitter BVCEO 160V IC 1.5A VCE(SAT) 0.3V @ IC = 1A, IB = 100mA Features Ordering Information Low VCE(SAT) 0.15 @ IC = 1A, IB = 100mA (Typ.) Part No. Package Packing High BVCEO TSD1858CH C5G TO-251 75pcs / Tube Note G denote for Hal

Другие MOSFET... TSA23N50M , TSA24N50M , TSA28N50M , TSA3878 , TSA50N20MK , TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , STF13NM60N , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , TSU5N65M , TSD840MD , TSF10N80M , TSF16N50MR .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.