TSU5N65M Todos los transistores

 

TSU5N65M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSU5N65M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO251

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TSU5N65M datasheet

 ..1. Size:1206K  truesemi
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TSU5N65M

TSD5N65M/TSU5N65M 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 3.0A,650V,Max.RDS(on)=3.0 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

 8.1. Size:1121K  truesemi
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TSU5N65M

TSD5N60M/TSU5N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 4.5A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 12nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

Otros transistores... TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , 75N75 , TSD840MD , TSF10N80M , TSF16N50MR , TSF16N60MR , TSF16N65MR , TSF18N20M , TSF18N50MR , TSF18N60MR .

 

 

 

 

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