Справочник MOSFET. TSU5N65M

 

TSU5N65M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSU5N65M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для TSU5N65M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSU5N65M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1206K  truesemi
 tsd5n65m tsu5n65m.pdf pdf_icon

TSU5N65M

TSD5N65M/TSU5N65M650V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 3.0A,650V,Max.RDS(on)=3.0 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

 8.1. Size:1121K  truesemi
 tsd5n60m tsu5n60m.pdf pdf_icon

TSU5N65M

TSD5N60M/TSU5N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.5A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 12nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

Другие MOSFET... TSA82N25M , TSA82N30M , TSD16N25M , TSD18N20M , TSD5N50MR , TSD5N60M , TSU5N60M , TSD5N65M , IRF520 , TSD840MD , TSF10N80M , TSF16N50MR , TSF16N60MR , TSF16N65MR , TSF18N20M , TSF18N50MR , TSF18N60MR .

 

 
Back to Top

 


 
.