TSF4N90M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TSF4N90M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 40 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 22 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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TSF4N90M Datasheet (PDF)

..1. Size:1591K truesemi
tsf4n90m.pdf

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9.1. Size:1096K truesemi
tsp4n60m tsf4n60m.pdf

TSP4N60M/TSF4N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

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Liste

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