TSF4N90M - описание и поиск аналогов

 

TSF4N90M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSF4N90M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TSF4N90M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF4N90M даташит

 ..1. Size:1591K  truesemi
 tsf4n90m.pdf pdf_icon

TSF4N90M

TSF4N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s Drain-Source breakdown voltage advanced planar stripe DMOS technology. BVDSS=900V (Min.) This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge Qg=22nC (Typ.) performance, and withstand high

 9.1. Size:1096K  truesemi
 tsp4n60m tsf4n60m.pdf pdf_icon

TSF4N90M

TSP4N60M/TSF4N60M 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

Другие MOSFET... TSF16N60MR , TSF16N65MR , TSF18N20M , TSF18N50MR , TSF18N60MR , TSF20N50M , TSF20N60MR , TSF20N65MR , AON7403 , TSF60R190S2 , TSP60R190S2 , TSF65R190S2 , TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD .

History: BRCS18N20RA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.