TSF4N90M - аналоги и даташиты транзистора

 

TSF4N90M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TSF4N90M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для TSF4N90M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF4N90M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1591K  truesemi
 tsf4n90m.pdf pdf_icon

TSF4N90M

TSF4N90M900V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis Drain-Source breakdown voltage:advanced planar stripe DMOS technology.BVDSS=900V (Min.)This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge: Qg=22nC (Typ.)performance, and withstand high

 9.1. Size:1096K  truesemi
 tsp4n60m tsf4n60m.pdf pdf_icon

TSF4N90M

TSP4N60M/TSF4N60M600V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Truesemis 4.0A,600V,Max.RDS(on)=2.5 @ VGS =10Vadvanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 16nC)minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggednessperformance, and

Другие MOSFET... TSF16N60MR , TSF16N65MR , TSF18N20M , TSF18N50MR , TSF18N60MR , TSF20N50M , TSF20N60MR , TSF20N65MR , HY1906P , TSF60R190S2 , TSP60R190S2 , TSF65R190S2 , TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD .

History: GP1M012A060XX | SI5424DC | RJK6018DPM | IRF640NLPBF | RJK6022DJE | STH80N10F7-2 | STB170NF04

 

 
Back to Top

 


 
.