TSF60R190S2 Todos los transistores

 

TSF60R190S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSF60R190S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de TSF60R190S2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TSF60R190S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3701K  truesemi
 tsf60r190s2 tsp60r190s2.pdf pdf_icon

TSF60R190S2

May, 2018SJ-FETTSF60R190S2/TSP60R190S2600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 650V @TJ = 150 low on-resistance and lower gate charge performance. Typ. RDS(on) = 0.16This advanced technology

Otros transistores... TSF16N65MR , TSF18N20M , TSF18N50MR , TSF18N60MR , TSF20N50M , TSF20N60MR , TSF20N65MR , TSF4N90M , IRF9640 , TSP60R190S2 , TSF65R190S2 , TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR .

History: RJK0362DSP | ELM33408CA | ME95N03T | AO4800 | GM2302 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
Back to Top

 


 
.