TSF60R190S2 - описание и поиск аналогов

 

TSF60R190S2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TSF60R190S2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для TSF60R190S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSF60R190S2 даташит

 ..1. Size:3701K  truesemi
 tsf60r190s2 tsp60r190s2.pdf pdf_icon

TSF60R190S2

May, 2018 SJ-FET TSF60R190S2/TSP60R190S2 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 650V @TJ = 150 low on-resistance and lower gate charge performance. Typ. RDS(on) = 0.16 This advanced technology

Другие MOSFET... TSF16N65MR , TSF18N20M , TSF18N50MR , TSF18N60MR , TSF20N50M , TSF20N60MR , TSF20N65MR , TSF4N90M , K2611 , TSP60R190S2 , TSF65R190S2 , TSP65R190S2 , TSA65R190S2 , TSK65R190S2 , TSF65R360S2 , TSF840MD , TSF840MR .

History: WMB175N10HG4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.