TSK65R190S2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TSK65R190S2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: TO247
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TSK65R190S2 datasheet
tsf65r190s2 tsp65r190s2 tsa65r190s2 tsk65r190s2.pdf
May, 2018 SJ-FET TSF65R190S2/TSP65R190S2/TSA65R190S2/TSK65R190S2 650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 700V @TJ = 150 low on-resistance and lower gate charge performance. Typ. RDS(on) = 0.16 T
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