Справочник MOSFET. TSK65R190S2

 

TSK65R190S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TSK65R190S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TSK65R190S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1912K  truesemi
 tsf65r190s2 tsp65r190s2 tsa65r190s2 tsk65r190s2.pdf pdf_icon

TSK65R190S2

May, 2018SJ-FETTSF65R190S2/TSP65R190S2/TSA65R190S2/TSK65R190S2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 700V @TJ = 150 low on-resistance and lower gate charge performance. Typ. RDS(on) = 0.16T

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: PHP176NQ04T | RU1HL8L | KRF7703 | IXTH10N60 | UPA1770 | TSM4946DCS | PDN3912S

 

 
Back to Top

 


 
.