TSK65R190S2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TSK65R190S2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 36.5 nC
Время нарастания (tr): 39 ns
Выходная емкость (Cd): 68 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для TSK65R190S2
TSK65R190S2 Datasheet (PDF)
..1. Size:1912K truesemi
tsf65r190s2 tsp65r190s2 tsa65r190s2 tsk65r190s2.pdf
tsf65r190s2 tsp65r190s2 tsa65r190s2 tsk65r190s2.pdf
May, 2018SJ-FETTSF65R190S2/TSP65R190S2/TSA65R190S2/TSK65R190S2650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 700V @TJ = 150 low on-resistance and lower gate charge performance. Typ. RDS(on) = 0.16T
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
