TSK65R190S2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TSK65R190S2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TSK65R190S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TSK65R190S2 даташит

 ..1. Size:1912K  truesemi
 tsf65r190s2 tsp65r190s2 tsa65r190s2 tsk65r190s2.pdf pdf_icon

TSK65R190S2

May, 2018 SJ-FET TSF65R190S2/TSP65R190S2/TSA65R190S2/TSK65R190S2 650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge balance mechanism for outstanding 700V @TJ = 150 low on-resistance and lower gate charge performance. Typ. RDS(on) = 0.16 T

Другие IGBT... TSF20N60MR, TSF20N65MR, TSF4N90M, TSF60R190S2, TSP60R190S2, TSF65R190S2, TSP65R190S2, TSA65R190S2, AO4407A, TSF65R360S2, TSF840MD, TSF840MR, TSF9N90M, TSK80R240S1, TSK82N25M, TSP10N60M, TSF10N60M