TSF9N90M MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

TSF9N90M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TSF9N90M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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TSF9N90M datasheet

..1. Size:927K truesemi
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TSF9N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemi s 9A,900V,Max.RDS(on)=1.4 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

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History: IPB80N04S4-04 | SM1A01NFS | IPB80N04S3-03 | HM50P03D | AGM15P30E

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