TSF9N90M Todos los transistores

 

TSF9N90M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TSF9N90M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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TSF9N90M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  truesemi
 tsf9n90m.pdf pdf_icon

TSF9N90M

TSF9N90M 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Truesemis 9A,900V,Max.RDS(on)=1.4 @ VGS =10V advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge(typical 52nC) minimize on-state resistance, provide superior switching High ruggedness performance, and

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History: CS3N70HP | KP743A | AP6N3R8H | AP6N6R5I | FDS6690A | TSF10N65M | 2SK3987-01S

 

 
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